EN

Транзисторно-диодные элементы на основе многофазных оксидных материалов с переходом металл-изолятор

Назначение, область применения

Применение разработанных элементов в биполярных и полевых транзисторах диодных элементах, реализующих эффект «переход металл-изолятор» для электроники.

Электронная компонентная база для новых электронных устройств информационных технологий и телекоммуникаций.

Твердотельные накопители информации большой емкости, аналог flash накопители; диодные и транзисторные структуры, аналог диодные и транзисторные структуры на основе аморфного и поликристаллического кремния.

Описание проекта
Варианты разрабатываемых транзисторно-диодных структур:

240_1.jpg  - структура электронного инжекционного транзистора с обратным затвором. Управление каналом происходит за счет мягкого пробоя тонкого слоя диэлектрика и лавинной инжекции носителей заряда в канал;

  

240_2.jpg- структура электронного инжекционного транзистора с p – n переходом. Управление каналом происходит за счет инжекции носителей заряда в канал через p – n переход, что существенно снижает напряжения включения устройства;

 

 240_3.jpg- гетероструктура p-Si-VO2-Me и ее ВАХ. Измерение выполнено на синусоидальном сигнале частотой 100 Гц с ограничительным сопротивлением в цепи – 10 кОм. На ВАХ наблюдается эффект выпрямления, обусловленный образование p-n перехода на границе p-Si – n-VO2.

 
Конкурентное
преимущество
  •  Электронное управление каналом.
  • Малое время срабатывания (единицы пикосекунд).
  • Низкое энергопотребление.
  • Совместимость с традиционной кремниевой технологией.
Схема коммерциализации
  • Трансферт технологии, продажа лицензии.
  • Для электронных устройств малой интеграции, использующих разрабатываемые электронные компоненты, после поиска маркетинговых «ниш», создание собственного производства.
Правовая защита
  • Патент РФ на изобретение №2392694  «Способ получения фотогальванического элемента» от 20.06.2010.
  • Патент РФ на изобретение №2468471  «Способ получения энергонезависимого элемента памяти» от 27.11.2012.
  • Патент РФ на изобретение №2470409  «Способ получения диода на основе оксида ниобия» от 20.12.2012.
  • Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2012618514  «Программа для получения и обработки данных электрофизических измерений «VA researcher 1.1»» от 19.09.2012.

Все проекты и разработки


ФГБОУ ВО "Петрозаводский государственный университет"
пр. Ленина, 33, г. Петрозаводск, Карелия, Россия, 185910
тел.: +7 (8142) 71-10-01, факс: +7 (8142) 71-10-00
e-mail: rectorat@petrsu.ru, office@petrsu.ru
https://www.petrsu.ru/
Управление по инновационно-
производственной деятельности

пр. Ленина, 31, г. Петрозаводск
тел.: +7 (8142) 71-32-56
e-mail: oder@petrsu.ru