EN

Сенсоры температуры, давления, деформации с частотным выходом на базе оксидной электроники


Датчики реализованы на базе МОМ структур на основе оксидов переходных металлов, обладающих переключением с BAXS-типа, перспективны с точки зрения использования в качестве различных электронных устройств и чувствительных элементов сенсорных систем.

Зависимость частоты генерации (релаксационных колебаний) от внешних факторов определяет возможность применения данных структур в качестве датчиков различных величин, обладающих рядом преимуществ по сравнению с существующими аналогами.
Датчики имеют преимущества:
  • малые размеры,
  • сэндвич-конфигурация,
  • совместимая с современной интегральная технология,
  • высокое быстродействие,
  • низкая пороговая мощность.
Правовая защита
Патент РФ на изобретение №2392694  «Способ получения фотогальванического элемента» от 20.06.2010.

Все проекты и разработки


ФГБОУ ВО "Петрозаводский государственный университет"
пр. Ленина, 33, г. Петрозаводск, Карелия, Россия, 185910
тел.: +7 (8142) 71-10-01, факс: +7 (8142) 71-10-00
e-mail: rectorat@petrsu.ru, office@petrsu.ru
https://www.petrsu.ru/
Управление по инновационно-
производственной деятельности

пр. Ленина, 31, г. Петрозаводск
тел.: +7 (8142) 71-32-56
e-mail: oder@petrsu.ru