Сенсоры температуры, давления, деформации с частотным выходом на базе оксидной электроники

Датчики реализованы на базе МОМ структур на основе оксидов переходных металлов, обладающих переключением с BAXS-типа, перспективны с точки зрения использования в качестве различных электронных устройств и чувствительных элементов сенсорных систем.

Зависимость частоты генерации (релаксационных колебаний) от внешних факторов определяет возможность применения данных структур в качестве датчиков различных величин, обладающих рядом преимуществ по сравнению с существующими аналогами.

Датчики имеют преимущества:

• малые размеры,
• сэндвич-конфигурация,
• совместимая с современной интегральная технология,
• высокое быстродействие,
• низкая пороговая мощность.

Правовая защита

Патент РФ на изобретение №2392694  «Способ получения фотогальванического элемента» от 20.06.2010.